今天，分享一篇Diodes公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管(SBD)，希望以下Diodes公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管(SBD)的内容对您有用。
Diodes 公司(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅(SiC) 萧特基势垒二极管(SBD)。产品组合包含DIODES DSCxxA065系列，共有十一项650V 额定电压(4A、6A、8A 和10A) 的产品，以及DIODES DSCxx120系列，共有八款1200V 额定电压(2A、5A 和10A) 产品。
本文引用地址：
这些宽带隙SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠性，同时响应市场对降低系统执行成本并减少维护需求。这些装置适用于AC-DC、DC-DC 和DC-AC 降压变换器、光伏逆变器、不断电系统和工业马达驱动产品应用。此外，本系列装置也适用于其他各种电路，例如功率因子校正用途的升压转换器。
这些SiC 装置拥有高效率效能，表现优于传统硅晶型产品，能为电源供应器设计人员带来空前产品效能优势，例如：
● 低电容电荷(QC) 可将切换损耗降至极低，进而提升高速切换产品应用的效率。适合用于功率密度具有较高、解决方案总尺寸较小的电路设计。
● 低顺向电压(VF) 可进一步提高效率、降低功率损耗和营运成本。
● 减少散热，有助于降低整个系统的散热预算。
● 高突波电流能力可提升稳固性，实现较佳系统可靠性，而出色的热效能还可降低建构成本。
本系列装置提供三种封装选项，包括表面黏着TO252-2 (WX 型)、通孔TO220AC (WX 型) 和ITO220AC (WX-NC 型)。
