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华虹与斯达共同打造首款高功率车规级IGBT量产

时间:2021-06-28 11:46:42 | 来源:电车汇

原标题:华虹与斯达共同打造首款高功率车规级IGBT量产

电车汇消息:近日,华虹半导体与斯达半导在“华虹半导体车规级IGBT暨12英寸IGBT规模量产仪式”上签订战略合作协议,宣布双方携手打造的高功率车规级IGBT芯片已通过终端车企产品验证,进入了动力单元等汽车应用市场。

华虹半导体已在12英寸生产线上成功建立了IGBT晶圆生产工艺,产品顺利通过了客户认证,成为全球首家同时在8英寸和12英寸生产线量产先进型沟槽栅电场截止型IGBT的纯晶圆代工企业。目前,华虹半导体12英寸IGBT产出已超10000片晶圆。去年斯达半导生产的汽车级IGBT模块合计配套超过20万辆新能源汽车。

斯达半导一直致力于IGBT芯片设计和IGBT模块的设计、制造及测试。斯达半导应用于燃油车微混系统的48V BSG功率组件在去年实现了大批量装车应用,累计配套超过10万辆节能燃油汽车。去年,斯达半导基于第六代Trench Field Stop技术的1200V IGBT芯片也成功在12寸产线上开发,并已开始批量生产,同年研发成功的车规级SGT MOSFET,预计今年开始批量供货。

斯达半导未来将持续发力新能源汽车及燃油汽车半导体器件市场,在新能源汽车用驱动控制器领域为客户提供全功率段的车规级IGBT模块,并继续加大SiC功率芯片的研发力度,尽快推出符合市场需求的自主的车规级SiC芯片,以完善辅助驱动和车用电源市场的产品布局。

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