研究人员创造了迄今为止最小的存储设备，这一进步可能会导致更快，更小，更节能的电子芯片用于消费类电子产品和以大脑为灵感的计算。
美国得克萨斯大学奥斯汀分校的科学家们还发现了可以释放这些微型设备密集存储功能的物理机制。
在最近发表在《自然纳米技术》杂志上的这项研究中，科学家们缩小了当时最薄的存储设备的尺寸，将横截面面积缩小到仅一个平方纳米。
根据研究人员的说法，掌握将大量内存存储功能集成到这些设备中的物理学方法，可以使它们使设备更小。
他们说，材料中的超小孔是解锁高密度内存存储功能的关键。
该研究的合著者Deji Akinwande解释说：“当另外一个金属原子进入该纳米级孔并填充时，它将某些导电性赋予材料，这会导致变化或记忆效应。”
尽管他们在研究中使用了化合物二硫化钼(也称为MoS2)作为主要的纳米材料，但研究人员认为，这一发现可能适用于数百种相关的原子薄材料。
他们说，较小的处理器使制造商可以制造更紧凑的计算机和电话，并补充说，缩小芯片尺寸还可以减少能源需求并提高容量。
科学家们解释说，这意味着更快，更智能的设备耗电更少。
最初的设备-被研究人员称为“ atomristor”-是当时有史以来最薄的存储设备，具有单个原子层的厚度。
然而，他们补充说，缩小存储设备不仅是要使其更薄，而且还要以较小的横截面面积制造它。
阿金万德说：“科学上的标尺正在下降到一个原子控制记忆功能的水平，而这正是我们在新研究中所完成的。”
新器件属于忆阻器类别-存储器研究领域，围绕电子元件，能够修改其两个端子之间的电阻，而无需中间的第三个端子。
研究人员称，这些存储设备可以比目前使用的存储设备小，并拥有更大的存储容量。
他们说，新的忆阻器有望实现每平方厘米25兆比特的存储容量，这是每层存储容量的三分之一，是市售闪存设备的约100倍。
